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电子元器件详细资料 » IC[23323] » FDD6612A
型号:FDD6612A类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C9.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C20 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs9.4nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds660pF @ 15V
功率_最大1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252-3
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳瞄钧科技有限公司张小姐 李小姐0755-82727462 /83794860
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
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FDD6612A相关型号

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